武漢芯火元科技致力于SiC模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊，SiC單管在電力電子應用中全面取代IGBT單管，650V SiC碳化硅MOSFET在電源應用中全面取代Super Junction超結(jié)MOSFET!

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET適用于1500V光儲系統(tǒng)，1500V系統(tǒng)大組串SiC光伏逆變器，1500V系統(tǒng)儲能變流器PCS，1500V系統(tǒng)固態(tài)斷路器，固態(tài)變壓器等。

大組串IGBT光伏逆變器MPPT傳統(tǒng)上使用飛跨電容IGBT方案，控制復雜，頻率低，采用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?2000V系列SiC碳化硅MOSFET進行兩電平改造，控制簡單可靠，頻率提升，電感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持結(jié)溫低于規(guī)定值。

未來隨著設(shè)備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關(guān)損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導通電阻、器件開關(guān)損耗，以及更高可靠性等性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動、APF/SVG、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性。

為滿足光伏儲能領(lǐng)域高電壓、大功率的應用需求，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?基于第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關(guān)損耗、支持更高開關(guān)頻率運行等特點。

針對新能源汽車的應用需求，BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?研發(fā)推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅(qū)動中。

B3M040120Z是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?基于第三代碳化硅MOSFET技術(shù)平臺開發(fā)的產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性方面有更進一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術(shù)以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?基于第二代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中。

BASiC?國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商-基本公司?推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設(shè)計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉(zhuǎn)換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

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